Vishay SIA Type P-Channel MOSFET, 9 A, 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3
- RS-artikelnummer:
- 239-5368
- Tillv. art.nr:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
89,15 kr
(exkl. moms)
111,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 200 enhet(er) från den 30 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 3,566 kr | 89,15 kr |
| 250 - 1225 | 3,351 kr | 83,78 kr |
| 1250 - 2475 | 3,033 kr | 75,83 kr |
| 2500 - 6225 | 2,849 kr | 71,23 kr |
| 6250 + | 2,67 kr | 66,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 239-5368
- Tillv. art.nr:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | PowerPAK SC-70 | |
| Series | SIA | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.032Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±8 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 15.6W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type PowerPAK SC-70 | ||
Series SIA | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.032Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±8 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 15.6W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
The Vishay P channel MOSFET has drain current of -9 A. It is used for Load switches, battery switches, charger switches
100 % Rg tested
Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
Small footprint area
Low on-resistance
Typical ESD protection: 3000 V (HBM)
relaterade länkar
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SC-70 SIA4371EDJ-T1-GE3
- Vishay SiA4263DJ Type P-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SC-70 SIA4263DJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L SIA112LDJ-T1-GE3
- Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L SIA437DJ-T1-GE3
- Vishay Dual Plus Integrated Schottky 2 Type P-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L SIA817EDJ-T1-GE3
- Vishay SIB Type P-Channel MOSFET 30 V P, 6-Pin PowerPAK SC-75 SIB4317EDK-T1-GE3
