Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

56,76 kr

(exkl. moms)

70,95 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 360 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4511,352 kr56,76 kr
50 - 958,714 kr43,57 kr
100 - 2458,064 kr40,32 kr
250 - 9957,952 kr39,76 kr
1000 +7,818 kr39,09 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3004
Tillv. art.nr:
IPD079N06L3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

6.223mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.48mm

Width

6.731 mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications

Highest system efficiency

Less paralleling required

Increased power density

relaterade länkar