Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 139 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 262-5862
- Tillv. art.nr:
- IPD028N06NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 262-5862
- Tillv. art.nr:
- IPD028N06NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 139A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IPD | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 139A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IPD | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 139 A 60 V Förbättring TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal 31 A 650 V Förbättring IPD
- Infineon Typ N Kanal 5 A 600 V Förbättring TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal 6 A 600 V Förbättring TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal 14.7 A 600 V Förbättring TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal 9 A 600 V Förbättring TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal 120 A 60 V Förbättring TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal 90 A 60 V Förbättring TO-252, IPD