Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60N10S412ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

34,84 kr

(exkl. moms)

43,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 304 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1817,42 kr34,84 kr
20 - 4815,23 kr30,46 kr
50 - 9814,28 kr28,56 kr
100 - 19813,27 kr26,54 kr
200 +12,375 kr24,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3849
Tillv. art.nr:
IPD60N10S412ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

94W

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is P-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

relaterade länkar