Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

69,56 kr

(exkl. moms)

86,95 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 045 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4513,912 kr69,56 kr
50 - 9510,684 kr53,42 kr
100 - 2459,968 kr49,84 kr
250 - 9959,744 kr48,72 kr
1000 +9,542 kr47,71 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3002
Tillv. art.nr:
IPD048N06L3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

6.223mm

Length

10.48mm

Width

6.731 mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications

Highest system efficiency

Less paralleling required

Increased power density

relaterade länkar