Infineon, Effekttransistor, 60 A 600 V Förbättring, 20 Ben, PG-DSO-20-85, CoolGaN

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

108,75 kr

(exkl. moms)

135,94 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 30 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
1 - 24108,75 kr
25 - 4998,78 kr
50 - 9996,77 kr
100 - 24990,61 kr
250 +83,55 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2752
Tillv. art.nr:
IGO60R070D1AUMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Effekttransistor

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

PG-DSO-20-85

Serie

CoolGaN

Fästetyp

Yta

Antal ben

20

Maximal drain-källresistans Rds

70mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.8nC

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

4.5 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon Power Transistor is a Gallium nitride CoolGaN™ 600V enhancement mode power transistor. This power transistor offers fast turn on and turn off speed, minimum switching losses and enables simple half bridge topologies with highest efficiency. The gallium nitride CoolGaN™ 600V series is qualified according to a comprehensive GaN tailored qualification well beyond existing standards. It addresses Datacom and server SMPS, telecom as well as adapter, charger, wireless charging and numerous other applications that demand highest efficiency or power density.

Reduces EMI

System cost reduction savings

Capable of reverse conduction

Superior commutation ruggedness

Enables higher operating frequency

Low gate charge and low output charge

Relaterade länkar