Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 650 V Förbättring, 20 Ben, PG-DSO-20, IGOT65

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

151,87 kr

(exkl. moms)

189,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 780 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9151,87 kr
10 - 99136,64 kr
100 +126,11 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-883
Tillv. art.nr:
IGOT65R025D2AUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

61A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PG-DSO-20

Serie

IGOT65

Typ av fäste

Yta

Antal ben

20

Maximal drain-källresistans Rds

0.053Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

184W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

JEDEC for Industrial Applications

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
ID
The Infineon GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a top-side cooled DSO package, it is designed for optimal power dissipation in various industrial applications.

650 V e-mode power transistor

Ultrafast switching

No reverse-recovery charge

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

Low dynamic RDS(on)

High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Top-side cooled package

JEDEC qualified (JESD47, JESD22)

Relaterade länkar