Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

62,18 kr

(exkl. moms)

77,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 40 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 906,218 kr62,18 kr
100 - 2405,902 kr59,02 kr
250 - 4905,667 kr56,67 kr
500 - 9905,41 kr54,10 kr
1000 +3,416 kr34,16 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-6776
Tillv. art.nr:
IRFU3910PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-251

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

115mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29.3nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.39mm

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

RoHS

Distrelec Product Id

304-41-680

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fast switching

Fully avalanche rated

relaterade länkar