Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 217-2601
- Tillv. art.nr:
- IRF7341GTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
30 320,00 kr
(exkl. moms)
37 920,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 000 enhet(er) från den 17 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 7,58 kr | 30 320,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2601
- Tillv. art.nr:
- IRF7341GTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.4W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel N-kanalig Mosfet | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.4W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Transistorkonfiguration Dubbel N-kanalig Mosfet | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon HEXFET ® Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications. The 175°C rating for the SO-8 package provides improved thermal performance with increased safe operating area and dual MOSFET die capability make it ideal in a variety of power applications. This dual, surface mount SO-8 can dramatically reduce board space and is also available in Tape & Reel.
Advanced Process Technology
Dual N-Channel MOSFET
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free