Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7473TRPBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

152,28 kr

(exkl. moms)

190,35 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4015,228 kr152,28 kr
50 - 9014,47 kr144,70 kr
100 - 24014,179 kr141,79 kr
250 - 4909,901 kr99,01 kr
500 +7,762 kr77,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-6738
Tillv. art.nr:
IRF7473TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Height

1.75mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

4 mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has benefits such as low gate drive current due to improved gate charge characteristic, improved avalanche ruggedness and dynamic dv/dt and fully characterized avalanche voltage and current.

Ultra low on-resistance

High speed switching

relaterade länkar