Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

16 084,00 kr

(exkl. moms)

20 104,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +4,021 kr16 084,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6732
Tillv. art.nr:
IRF7451TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Length

5mm

Height

1.75mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

relaterade länkar