Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

17 388,00 kr

(exkl. moms)

21 736,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +4,347 kr17 388,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2606
Tillv. art.nr:
IRF7469TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

21mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

3.9 mm

Height

1.75mm

Standards/Approvals

No

Length

4.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package.

Ultra-Low Gate Impedance

Very Low RDS(on)

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

relaterade länkar