Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

11 484,00 kr

(exkl. moms)

14 356,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +2,871 kr11 484,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6735
Tillv. art.nr:
IRF7465TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

relaterade länkar