Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

76,83 kr

(exkl. moms)

96,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 750 enhet(er) från den 17 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 907,683 kr76,83 kr
100 - 2407,302 kr73,02 kr
250 - 4907,00 kr70,00 kr
500 - 9906,698 kr66,98 kr
1000 +4,234 kr42,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-6734
Tillv. art.nr:
IRF7451TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

SO-8

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

1.75mm

Bredd

4 mm

Längd

5mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

Relaterade länkar