Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6723
- Tillv. art.nr:
- IRF2804STRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
11 892,00 kr
(exkl. moms)
14 864,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 14,865 kr | 11 892,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6723
- Tillv. art.nr:
- IRF2804STRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
Ultra low on-resistance
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 160 A 40 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 160 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 160 A 40 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 42 A 100 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 269 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 210 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 105 A 150 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 173 A 60 V Förbättring TO-263, HEXFET