Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 269 A 75 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 218-3124
- Tillv. art.nr:
- IRFS7730TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
258,61 kr
(exkl. moms)
323,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 095 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 51,722 kr | 258,61 kr |
| 25 - 45 | 45,516 kr | 227,58 kr |
| 50 - 120 | 42,426 kr | 212,13 kr |
| 125 - 245 | 39,268 kr | 196,34 kr |
| 250 + | 36,714 kr | 183,57 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3124
- Tillv. art.nr:
- IRFS7730TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 269A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 428nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 269A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 428nC | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien med en N-kanalig effekt-MOSFET. Integrerad med D2PAK 7-stifts (TO-263 7-stifts) typpaket.
Blyfri, RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 269 A 75 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 183 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 106 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 246 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 128 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 62 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET