STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Tejp och rulle

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

92 091,00 kr

(exkl. moms)

115 114,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 100092,091 kr92 091,00 kr
2000 - 200089,73 kr89 730,00 kr
3000 +87,487 kr87 487,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
261-5046
Tillv. art.nr:
STH12N120K5-2AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

Tejp och rulle

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.9Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.7mm

Längd

15.8mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

10.4 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics high voltage N-channel power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

AEC-Q101 qualified

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

100% avalanche tested

Relaterade länkar