Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 64 A 1200 V N, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI
- RS-artikelnummer:
- 427-757
- Tillv. art.nr:
- DM400S12TDRB
- Tillverkare / varumärke:
- Starpower
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
126,78 kr
(exkl. moms)
158,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 126,78 kr |
| 10 - 99 | 114,13 kr |
| 100 - 499 | 105,17 kr |
| 500 - 999 | 97,55 kr |
| 1000 + | 79,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 427-757
- Tillv. art.nr:
- DM400S12TDRB
- Tillverkare / varumärke:
- Starpower
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Starpower | |
| Produkttyp | SiC Mosfet utan diod | |
| Kanaltyp | Enkel omkopplare | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 64A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | DOSEMI | |
| Kapseltyp | Tejp och rulle | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 55.2mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 268W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.85V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Starpower | ||
Produkttyp SiC Mosfet utan diod | ||
Kanaltyp Enkel omkopplare | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie DOSEMI | ||
Kapseltyp Tejp och rulle | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 55.2mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 268W | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.85V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Starpower MOSFET Power Discrete ger ultralåg ledningsförlust samt låg omkopplingsförlust. De är utformade för tillämpningar som hybrid- och elfordon.
SiC-effekt-MOSFET
Låg RDS(on)
Hölje med låg induktans undviker oscillationer
ROHS
Relaterade länkar
- Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 118 A 1200 V N, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI
- Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 37 A 1200 V N, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Tejp och rulle
- Infineon CoolSiC Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 200 A, 1200 V AG-EASY2B FF6MR12W2M1B11BOMA1
- Semikron Danfoss, SiC-effektmodul 1200 V, SEMITOP
- onsemi, SiC-effektmodul 1200 V, F1-2PACK
- Semikron Danfoss, SiC-effektmodul 1200 V, SEMITOP2, SEMITOP
- Semikron Danfoss, SiC-effektmodul, 56 A 1200 V, SEMITOP