Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V, PG-TO263-3
- RS-artikelnummer:
- 258-7073
- Tillv. art.nr:
- IPB180N04S400ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
21 839,00 kr
(exkl. moms)
27 299,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 21,839 kr | 21 839,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-7073
- Tillv. art.nr:
- IPB180N04S400ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-TO263-3 | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC, MSL1, RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-TO263-3 | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC, MSL1, RoHS | ||
The Infineon OptiMOS has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It also has optimized total gate charge which enables smaller driver output stages.
AEC qualified
Green product
Ultra low Rds on
100 percent avalanche tested
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 180 A 40 V, PG-TO263-3
- Infineon 1 Typ N Kanal 7 Ben AIK
- Infineon Typ N Kanal 68 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal 58 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal 158 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal 170 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal 34.9 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal 238 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC