Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -80 A, -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD80P03P4L07ATMA2

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

34,16 kr

(exkl. moms)

42,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 850 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +17,08 kr34,16 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3864
Tillv. art.nr:
IPD80P03P4L07ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

PG-TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-0.31 V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Forward Voltage Vf

-1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

relaterade länkar