Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 35 A, 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

13 842,50 kr

(exkl. moms)

17 302,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 7 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,537 kr13 842,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3839
Tillv. art.nr:
IPD35N12S3L24ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Package Type

PG-TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T power-transistor is power MOSFET for automotive applications. It has 175°C operating temperature.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

relaterade länkar