Sök efter MPN

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263

RS-artikelnummer:: 258-3826
Tillv. art.nr:: IPBE65R050CFD7AATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

35 589,00 kr

(exkl. moms)

44 486,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	35,589 kr	35 589,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-3826
Tillv. art.nr:: IPBE65R050CFD7AATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	211A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-263
	Series	iPB
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	N
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 211A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-263
	Series iPB
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode N
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPBE65R050CFD7AATMA1

The Infineon CoolMOS C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar