Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 260-5119
- Tillv. art.nr:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 260-5119
- Tillv. art.nr:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Serie | iPB | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Serie iPB | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
N channel enhancement mode
MSL1 up to 260°C peak reflow
100% Avalanche tested
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 180 A Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 180 A 40 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 180 A 100 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 180 A 40 V Förbättring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 120 A Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 160 A 40 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 100 A 40 V Förbättring iPB AEC-Q101