Sök efter MPN

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263 IPBE65R050CFD7AATMA1

RS-artikelnummer:: 258-3827
Tillv. art.nr:: IPBE65R050CFD7AATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263 IPBE65R050CFD7AATMA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

88,60 kr

(exkl. moms)

110,75 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig

Enheter	Per enhet
1 - 9	88,60 kr
10 - 24	84,22 kr
25 - 49	80,53 kr
50 - 99	77,06 kr
100 +	71,79 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-3827
Tillv. art.nr:: IPBE65R050CFD7AATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	211A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	N
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 211A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode N
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPBE65R050CFD7AATMA1

The Infineon CoolMOS C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263 IPBE65R050CFD7AATMA1

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar