Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

49,73 kr

(exkl. moms)

62,162 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 910 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1824,865 kr49,73 kr
20 - 4821,615 kr43,23 kr
50 - 9820,105 kr40,21 kr
100 - 19818,705 kr37,41 kr
200 +17,415 kr34,83 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3823
Tillv. art.nr:
IPB80P04P4L08ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

40.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Relaterade länkar