Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9452
- Tillv. art.nr:
- IRLR3110ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
12 472,00 kr
(exkl. moms)
15 590,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 6,236 kr | 12 472,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9452
- Tillv. art.nr:
- IRLR3110ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 63A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 63A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRLR series is the 100V HEXFET power mosfet in a D-Pak package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Logic level is optimized for 10 V gate drive voltage, capable of 4.5 V gate drive voltage
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 63 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 63 A 100 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 86 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 5 A 200 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 79 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 120 A 40 V HEXFET
