Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9453
- Tillv. art.nr:
- IRLR3110ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
108,30 kr
(exkl. moms)
135,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 265 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,66 kr | 108,30 kr |
| 50 - 120 | 18,188 kr | 90,94 kr |
| 125 - 245 | 16,89 kr | 84,45 kr |
| 250 - 495 | 15,814 kr | 79,07 kr |
| 500 + | 9,766 kr | 48,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9453
- Tillv. art.nr:
- IRLR3110ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 63A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 63A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRLR-serie är 100 V HEXFET-effektmosfet i en D-Pak-kapsel.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Logiknivån är optimerad för 10 V grindstyrningsspänning, kapabel till 4,5 V grindstyrningsspänning
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Kan våglödas
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET