Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9453
- Tillv. art.nr:
- IRLR3110ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
90,72 kr
(exkl. moms)
113,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 435 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 18,144 kr | 90,72 kr |
| 50 - 120 | 15,232 kr | 76,16 kr |
| 125 - 245 | 14,134 kr | 70,67 kr |
| 250 - 495 | 13,216 kr | 66,08 kr |
| 500 + | 8,176 kr | 40,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9453
- Tillv. art.nr:
- IRLR3110ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 63A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 63A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRLR series is the 100V HEXFET power mosfet in a D-Pak package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Logic level is optimized for 10 V gate drive voltage, capable of 4.5 V gate drive voltage
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 63 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 63 A 100 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 86 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 100 A 20 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 120 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 56 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 42 A 85 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 90 A 2.2 V HEXFET
