Infineon N Kanal, MOSFET, 86 A 30 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9464
- Tillv. art.nr:
- IRLR8726TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2000 enheter, på en rulle med 2000)*
6 674,00 kr
(exkl. moms)
8 342,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 3,337 kr | 6 674,00 kr |
| 4000 - 4000 | 3,25 kr | 6 500,00 kr |
| 6000 + | 3,17 kr | 6 340,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9464
- Tillv. art.nr:
- IRLR8726TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 86A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 86A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRLR-serie är en 30 V HEXFET-kraftmossfet med en enda n-kanal i D Pak-förpackning.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Logiknivån är optimerad för 5 V grinddrivningsspänning
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Kan våglödas
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 86 A 30 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 86 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 86 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 61 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V, TO-252, HEXFET