Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5550
- Tillv. art.nr:
- IRFR7540TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2000 enheter)*
11 908,00 kr
(exkl. moms)
14 884,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 5,954 kr | 11 908,00 kr |
| 4000 + | 5,656 kr | 11 312,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5550
- Tillv. art.nr:
- IRFR7540TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 86nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 86nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons HEXFET power MOSFET har förbättrad robusthet för grind, lavin och dynamisk dV/dt samt fullt karakteriserad kapacitans och lavin SOA.
Förbättrad kapacitet för dioden i kroppen för dV/dt och dI/dt
Blyfri, RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 110 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 100 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -13 A -150 V, TO-252, HEXFET