Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.2 A 100 V, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

8 976,00 kr

(exkl. moms)

11 220,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 000 enhet(er) från den 02 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +2,244 kr8 976,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-9386
Tillv. art.nr:
IRFHM3911TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

PQFN

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal drain-källresistans Rds

15mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IRFHM series is the 100V single n channel IR mosfet in a PQFN 3.3x3.3 package. The IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount package


Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount package

Relaterade länkar