Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9375
- Tillv. art.nr:
- IRFH5406TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
85,12 kr
(exkl. moms)
106,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 035 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,024 kr | 85,12 kr |
| 50 - 120 | 16,308 kr | 81,54 kr |
| 125 - 245 | 15,86 kr | 79,30 kr |
| 250 - 495 | 15,456 kr | 77,28 kr |
| 500 + | 15,076 kr | 75,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9375
- Tillv. art.nr:
- IRFH5406TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 14.4mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 46W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 14.4mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximal effektförlust Pd 46W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 0.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRFH series is the 60V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 5x6 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Industry standard surface mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 40 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 85 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 100 A 60 V Förbättring PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 117 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 265 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 40 A 20 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 259 A 40 V HEXFET
