Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 88 A 100 V, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5566
- Tillv. art.nr:
- IRLH5030TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
45 848,00 kr
(exkl. moms)
57 312,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 11,462 kr | 45 848,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5566
- Tillv. art.nr:
- IRLH5030TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 88A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.9mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 88A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.9mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 88 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 85 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 22 A 20 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 3.4 A 20 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 117 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 21 A 30 V HEXFET
