Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 254-7194
- Tillv. art.nr:
- IAUA120N04S5N014AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
23,74 kr
(exkl. moms)
29,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 978 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 11,87 kr | 23,74 kr |
| 20 - 48 | 10,695 kr | 21,39 kr |
| 50 - 98 | 10,025 kr | 20,05 kr |
| 100 - 198 | 9,41 kr | 18,82 kr |
| 200 + | 8,625 kr | 17,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-7194
- Tillv. art.nr:
- IAUA120N04S5N014AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-5 | |
| Serie | IAUA | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-5 | ||
Serie IAUA | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineons IAUA series of automotive MOSFET consist of n-channel with enhancement mode at normal level with an operating temperature of 175°C. It is a green product with enhanced electrical testing.
Robust design
Voltage rating from drain to source is 40 V
Power dissipation is 136 W
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 120 A 40 V Förbättring PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 250 A 40 V Förbättring PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 180 A 40 V Förbättring HSOF, IAUA
- Infineon Typ N Kanal 200 A 80 V Förbättring PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 410 A 40 V Förbättring PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N006 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 330 A 40 V Förbättring PG-HSOF-5-2, IAUAN04S7N007 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 455 A 40 V Förbättring PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N005 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 570 A 40 V Förbättring PG-HSOF-5-5, IAUAN04S7N004 AEC-Q101
