Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-0943
- Tillv. art.nr:
- IPD65R225C7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
25 587,50 kr
(exkl. moms)
31 985,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 10,235 kr | 25 587,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-0943
- Tillv. art.nr:
- IPD65R225C7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon's CoolMOS C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.They offer the world's lowest RDS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D2PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.
650V voltage
Revolutionary Best-in-Class RDS (on)/package
Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
Improved safety margin and suitable for both SMPS and Solar Inverter applications
Lowest conduction losses/package
Low switching losses
Better light load efficiency
Increasing power density
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 180 A 75 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 180 A 40 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 180 A 75 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 9.9 A N IPD