Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 243-9299
- Tillv. art.nr:
- IRFH8324TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
20,61 kr
(exkl. moms)
25,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 3 890 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 4,122 kr | 20,61 kr |
| 50 - 120 | 3,718 kr | 18,59 kr |
| 125 - 245 | 3,45 kr | 17,25 kr |
| 250 - 495 | 3,204 kr | 16,02 kr |
| 500 + | 3,002 kr | 15,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9299
- Tillv. art.nr:
- IRFH8324TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 192A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 192A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 1.2mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon IRFH8324TRPBF N-Channel Power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Low Thermal Resistance to PCB (< 2.3°C/W)
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Low Profile (<1.2mm)
Compatible with Existing Surface Mount Techniques
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 192 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 11 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 253 A 30 V PQFN, IQE AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 55 A 25 V PQFN, ISK AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 30 A 60 V Förbättring PQFN, IAUZ AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 40 A 60 V Förbättring PQFN, IAUZ AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 40 A 40 V Förbättring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 20 A 40 V Förbättring PQFN, IPZ AEC-Q101
