Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUZ AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 249-6897
Tillv. art.nr:: IAUZ30N06S5L140ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUZ AEC-Q101

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

13 430,00 kr

(exkl. moms)

16 790,00 kr

(inkl. moms)

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	2,686 kr	13 430,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 249-6897
Tillv. art.nr:: IAUZ30N06S5L140ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	30A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	PQFN
	Serie	IAUZ
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	14mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp PQFN
	Serie IAUZ
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 14mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUZ30N06S5L140ATMA1

Infineon IAUZ-serien MOSFET, 60 V maximal drain-source-spänning, 30 A maximal kontinuerlig drain-ström – IAUZ30N06S5L140ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta ytmonteringsenheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är konstruerad för krävande miljöer där låg ledningsförlust och betydande effekthantering krävs.

Funktioner och fördelar:

• 14 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för effektiv strömförsörjning
• 81 W effektförlust stöder kontinuerlig drift med hög effekt
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkoppling med måttlig drivenergi
• 20 V gate-tolerans möjliggör användning med gate-drivkretsar med högre spänning
• PQFN-kapseln förbättrar värmevägen för ytmonterade enheter

Användningsområden

• Lämplig för 60 V fordonsströmfördelningskretsar
• Idealisk för DC/DC-omvandlare med hög strömstyrka i fordon
• Används med motordrivningsstegen i fordonselektronik
• Kan användas för switchade nätaggregat som kräver kompakt montering
• Lämplig för högtemperaturstyrningselektronik i tuffa miljöer

Vilket temperaturområde kan den upprätthålla i drift?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C.

Hur stöder förpackningen värmehantering?

PQFN-formen ger en direkt termisk väg till kretskortet för förbättrad värmeöverföring.

Vilka överväganden gäller för gate-drivning vid omkoppling?

Förvänta en typisk grindladdning på 80 nC vid den angivna grindspänningen, vilket kräver en drivare som kan generera den laddningen för snabba övergångar.

Vilken monteringsmetod är avsedd för installation?

Den är utformad för ytmontering på kretskortsmonteringar.