Sök efter MPN

Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 243-9300
Tillv. art.nr:: IRL100HS121
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

13 108,00 kr

(exkl. moms)

16 384,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 03 maj 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
4000 +	3,277 kr	13 108,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 243-9300
Tillv. art.nr:: IRL100HS121
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	11A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	PQFN
	Serie	IRFH
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.7mΩ
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp PQFN
	Serie IRFH
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IRL100HS121

Infineons IRL100HS121 N-kanals effekt-MOSFET finns i tre olika spänningsklasser (60 V, 80 V och 100 V), Infineons nya logiknivå-effekt-MOSFET är mycket lämpliga för trådlös laddning, telekom- och adaptertillämpningar. PQFN 2x2-kapseln är särskilt lämpad för höghastighetsomkoppling och formfaktorkritiska tillämpningar. Det möjliggör högre effekttäthet och förbättrad effektivitet samt betydande utrymmesbesparingar.

Lägsta FOM (R DS(on) x Q g/gd)

Optimerad Q g, C oss och Q rr för snabb omkoppling

Kompatibilitet med logiknivå

Litet PQFN-paket på 2 x 2 mm

Högre effekttäthet

Högre omkopplingsfrekvens

Använder OptiMOSTM5-chip

Minskat antal delar där 5 V-försörjning finns tillgänglig

Drivs direkt från mikrokontroller (långsam omkoppling)

Systemkostnadsminskningar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.