Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUZ AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 249-6899
Tillv. art.nr:: IAUZ40N06S5N050ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUZ AEC-Q101

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

25 450,00 kr

(exkl. moms)

31 800,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 03 juni 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	5,09 kr	25 450,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 249-6899
Tillv. art.nr:: IAUZ40N06S5N050ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	40A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	PQFN
	Serie	IAUZ
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	5mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp PQFN
	Serie IAUZ
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUZ40N06S5N050ATMA1

Infineon IAUZ-serien MOSFET, 60 V maximal drain-source-spänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström - IAUZ40N06S5N050ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i ytmonteringstillämpningar. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig där kompakt effekthantering och robust termisk tolerans krävs. Enheten uppfyller miljöbestämmelser och levereras i ett värmesnålt PQFN-paket som är optimerat för automatiserad placering.

Funktioner och fördelar:

• 5 mΩ Rds(on) möjliggör minskade ledningsförluster
• 60 V Vds stöder medelspänningseffektsteg
• 40 A kontinuerlig ström hanterar omkoppling vid hög belastning
• 81 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 80 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbara drivkraven

Användningsområden

• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Idealisk för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Används med motordrivna halvbryggor i kompakta system
• Kan användas för synkronlikriktelse i nätaggregat
• Används för industriell omkoppling över breda temperaturer

Vilka överväganden krävs för denna enhet?

En grinddrivare som kan leverera cirka 80 nC vid den valda Vgs-nivån säkerställer tillförlitliga omkopplingstimer och förutsägbara övergångsförluster.

Hur påverkar den termiska miljön kontinuerlig strömkapacitet?

81 W dissipationsklassning kräver adekvat värmehantering av kretskort och termiska vägar för att bibehålla höga kontinuerliga strömmar utan att överskrida gränsvärdena för kopplingstemperaturer.

Vilka spännings- och polaritetsbegränsningar gäller för grinden?

Grinden får inte drivas utöver ±20 V i förhållande till källan för att undvika skador på grindoxiden.

Vilket temperaturområde kan den tolerera i industriella miljöer?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i tuffa och höga temperaturer.