Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

43,54 kr

(exkl. moms)

54,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 965 enhet(er) från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +43,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
242-5830
Tillv. art.nr:
IPB60R070CFD7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

273A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

iPB

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

N

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon Super junction MOSFET in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Lowest FOM RDS(on) x Qg and EOSS

Excellent hard commutation ruggedness

Relaterade länkar