Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

61,20 kr

(exkl. moms)

76,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 839 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +61,20 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
242-5828
Tillv. art.nr:
IPB60R045P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

273A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

N

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon super junction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

Integrated gate resistor RG

Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding commutation ruggedness

Significant reduction of switching and conduction losses

Excellent ESD robustness > 2kV (HBM) for all products

Relaterade länkar