Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

54,38 kr

(exkl. moms)

67,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 396 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +27,19 kr54,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
240-6634
Tillv. art.nr:
IQE030N06NM5CGATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

253A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

IQE

Kapseltyp

PQFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.85mΩ

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.73V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOSTM 5 60V PQFN 3.3x3.3 Source-Down features 60 V and low RDS(on) of 3.0 mOhm. It offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities. Furthermore, the higher efficiency, the reduced active cooling requirements and the effective layout for thermal management are benefits at the system level.

Improved PCB losses

Enabling highest power density and performance

Relaterade länkar