Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUZ AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

64,40 kr

(exkl. moms)

80,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 765 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4512,88 kr64,40 kr
50 - 12011,334 kr56,67 kr
125 - 24510,596 kr52,98 kr
250 - 4959,924 kr49,62 kr
500 +9,14 kr45,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-6898
Tillv. art.nr:
IAUZ30N06S5L140ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PQFN

Serie

IAUZ

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

14mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon IAUZ-serien MOSFET, 60 V maximal drain-source-spänning, 30 A maximal kontinuerlig drain-ström – IAUZ30N06S5L140ATMA1


Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta ytmonteringsenheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är konstruerad för krävande miljöer där låg ledningsförlust och betydande effekthantering krävs.

Funktioner och fördelar:


• 14 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för effektiv strömförsörjning
• 81 W effektförlust stöder kontinuerlig drift med hög effekt
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkoppling med måttlig drivenergi
• 20 V gate-tolerans möjliggör användning med gate-drivkretsar med högre spänning
• PQFN-kapseln förbättrar värmevägen för ytmonterade enheter

Användningsområden


• Lämplig för 60 V fordonsströmfördelningskretsar
• Idealisk för DC/DC-omvandlare med hög strömstyrka i fordon
• Används med motordrivningsstegen i fordonselektronik
• Kan användas för switchade nätaggregat som kräver kompakt montering
• Lämplig för högtemperaturstyrningselektronik i tuffa miljöer

Vilket temperaturområde kan den upprätthålla i drift?


Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C.

Hur stöder förpackningen värmehantering?


PQFN-formen ger en direkt termisk väg till kretskortet för förbättrad värmeöverföring.

Vilka överväganden gäller för gate-drivning vid omkoppling?


Förvänta en typisk grindladdning på 80 nC vid den angivna grindspänningen, vilket kräver en drivare som kan generera den laddningen för snabba övergångar.

Vilken monteringsmetod är avsedd för installation?


Den är utformad för ytmontering på kretskortsmonteringar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.