Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 25 V, 6 Ben, PQFN, ISK AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
240-6379
Tillv. art.nr:
ISK036N03LM5
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55A

Maximal källspänning för dränering Vds

25V

Serie

ISK

Kapseltyp

PQFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

2.4mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

171W

Framåtriktad spänning Vf

810mV

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM 5 effekt-MOSFET 30 V, 3,6 mΩ, minsta formfaktor i PQFN 2x2-paket. Med den nya BIC OptiMOSTM 5 i 25 V- och 30 V-produktfamiljen erbjuder Infineon en bäst i klassen lösning för effektivitet i en liten formfaktor, vilket gör den till den perfekta lösningen för tillämpningar som trådlös laddning, lastswitchar och DCDC-tillämpningar med låg effekt. Det lilla PQFN 2x2-paketet med 4 mm2-fotavtryck, i kombination med utmärkta elektriska prestanda, bidrar till formfaktorförbättring i slutanvändningar, med låg RDS på 3,6 mΩ.

Optimerad för högsta prestanda och effekttäthet

100 % avalanche-testade

Överlägsen värmebeständighet för 2x2-paket

N-kanal

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfri enligt IEC61249-2-21

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.