Vishay Type N-Channel MOSFET, 415 A, 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR220EP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

36,40 kr

(exkl. moms)

45,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 022 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1818,20 kr36,40 kr
20 - 9817,75 kr35,50 kr
100 - 19817,25 kr34,50 kr
200 - 49816,80 kr33,60 kr
500 +16,41 kr32,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-8615
Tillv. art.nr:
SiDR220EP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

415A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00082Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.1nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Length

6.15mm

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 25 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density, synchronous buck converter and load switching.

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Low power loss

UIS tested

relaterade länkar