Vishay Type N-Channel MOSFET, 90.5 A, 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR104AEP-T1-RE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

79,86 kr

(exkl. moms)

99,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 044 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1839,93 kr79,86 kr
20 - 9837,52 kr75,04 kr
100 - 19833,935 kr67,87 kr
200 - 49831,975 kr63,95 kr
500 +29,96 kr59,92 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-8613
Tillv. art.nr:
SIDR104AEP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

90.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.1nC

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 100 V and 175°C temperature. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.

Very low resistance

UIS tested

relaterade länkar