Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 39.6 A 30 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

96,88 kr

(exkl. moms)

121,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1848,44 kr96,88 kr
20 - 4845,585 kr91,17 kr
50 - 9841,27 kr82,54 kr
100 - 19838,75 kr77,50 kr
200 +36,345 kr72,69 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
252-0262
Tillv. art.nr:
SIDR610EP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

39.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8DC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0042mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

46.1nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

150W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.15mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar