Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 116 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

89,69 kr

(exkl. moms)

112,11 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 275 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4517,938 kr89,69 kr
50 - 12016,862 kr84,31 kr
125 - 24515,268 kr76,34 kr
250 - 49514,336 kr71,68 kr
500 +13,458 kr67,29 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-5387
Tillv. art.nr:
SiR582DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

116A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0034Ω

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

33.5nC

Maximal effektförlust Pd

92.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

6.15mm

The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 116 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar