Vishay N Kanal, MOSFET, 116 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

29 871,00 kr

(exkl. moms)

37 338,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +9,957 kr29 871,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
239-5386
Tillv. art.nr:
SiR582DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

116A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0034Ω

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

33.5nC

Maximal effektförlust Pd

92.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.15mm

Längd

6.15mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Vishays TrenchFET N-kanals effekt-MOSFET har en dräneringsström på 116 A. Den används i synkron likriktare, primärsidoswitch, DC/DC-omvandlare och motordrivaromkopplare.

Mycket låg RDS x Qg meritfaktor (FOM)

Stämd för lägsta RDS x Qoss FOM

100 % Rg och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.