Vishay N Kanal, MOSFET, 128 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiRA

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
268-8336
Tillv. art.nr:
SiRA54ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

128A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

SiRA

Kapseltyp

PowerPAK SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0022Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

65.7W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.15mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Vishays N-kanal TrenchFET generation 4 Power MOSFET är en halogenfri enhet. Det är en enkel konfigurationsenhet och den används som synkron likriktering och motorstyrning.

RoHS-kompatibel

100-procentigt UIS-testat

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.