Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 26.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

18 144,00 kr

(exkl. moms)

22 680,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +6,048 kr18 144,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
268-8334
Tillv. art.nr:
SIR5710DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

26.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0315Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Maximal effektförlust Pd

56.8W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.15mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Relaterade länkar